Hersteller Produktnummer:
RN1103,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1103,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12889636
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EINREICHEN
RN1103,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1103
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1103LF(CTTR
RN1103LF(CTDKR
RN1103T5LFT
RN1103(T5LFT)CT
RN1103(T5LFT)DKR-DG
RN1103(T5L,F,T)
RN1103(T5LFT)CT-DG
RN1103(T5LFT)TR-DG
RN1103LF(CTCT
RN1103,LF(CTTR-DG
RN1103(T5LFT)TR
RN1103(T5LFT)DKR
RN1103,LF(CB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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