Hersteller Produktnummer:
HN4C51J(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN4C51J(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventar:
6983 Stück Neu Original Auf Lager
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HN4C51J(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual) Common Base
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74A, SOT-753
Gerätepaket für Lieferanten
SMV
Basis-Produktnummer
HN4C51
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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