Hersteller Produktnummer:
HN1C01FU-GR,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1C01FU-GR,LF-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
2091 Stück Neu Original Auf Lager
12889176
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HN1C01FU-GR,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1C01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FU-GRLFINACTIVE
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTDKR-DG
HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FU-GRLF-DG
HN1C01FUGRLFTCT-DG
HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-DG
HN1C01FU-GR,LF(B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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