Hersteller Produktnummer:
HN1C01F-GR(TE85L,F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1C01F-GR(TE85L,F-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
12891396
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HN1C01F-GR(TE85L,F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
800MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SM6
Basis-Produktnummer
HN1C01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-DG
HN1C01FGR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR
HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01FGR(TE85LFTR-DG
HN1C01F-GRTE85LF
HN1C01F-GR(TE85LF)TR
HN1C01F-GR(TE85LF)TR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFCT
HN1C01F-GR(TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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