Hersteller Produktnummer:
HN1B01FU-GR,LXHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1B01FU-GR,LXHF-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
5968 Stück Neu Original Auf Lager
12996534
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
HN1B01FU-GR,LXHF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
120MHz, 150MHz
Betriebstemperatur
-
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1B01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B01FU-GRLXHFCT
264-HN1B01FU-GRLXHFTR
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR
264-HN1B01FU-GRLXHFDKR
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PBSS4140DPN/DG/B2,115
NEXPERIA PBSS4140DPN - 40 V LOW
BC817RA147
BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
PBSS5230PAP,115
NEXPERIA PBSS5230PAP - SMALL SIG