Hersteller Produktnummer:
2SK4017(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK4017(Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Inventar:
12891613
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2SK4017(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
730 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD2
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
2SK4017
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
200
Andere Namen
2SK4017(Q)-DG
Q11923257
2SK4017Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
1594
TEILNUMMER
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
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