Hersteller Produktnummer:
2SK3128(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK3128(Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
12889288
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2SK3128(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK3128
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TPH11003NL,LQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2298
TEILNUMMER
TPH11003NL,LQ-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
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