Hersteller Produktnummer:
2SK2376(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK2376(Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 45A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220FL
Inventar:
12889841
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2SK2376(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3350 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FL
Paket / Koffer
TO-220-3, Short Tab
Basis-Produktnummer
2SK2376
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB55NF06LT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
330
TEILNUMMER
STB55NF06LT4-DG
Einheitspreis
0.71
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