Hersteller Produktnummer:
2SK2009TE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK2009TE85LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventar:
12890631
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2SK2009TE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50MA, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
70 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
2SK2009
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SK2009TE85LFCT
2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
2SK2009TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NX3020NAK,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
112914
TEILNUMMER
NX3020NAK,215-DG
Einheitspreis
0.02
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