Hersteller Produktnummer:
2SJ168TE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SJ168TE85LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59
Inventar:
865 Stück Neu Original Auf Lager
12890793
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2SJ168TE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
85 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
2SJ168
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SJ168TE85LFTR
2SJ168TE85LFCT
2SJ168TE85LFDKR
2SJ168 (TE85L,F)
2SJ168(TE85L,F)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZXMP10A13FTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
65961
TEILNUMMER
ZXMP10A13FTA-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
Direct
Teilenummer
BSS83PH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
107633
TEILNUMMER
BSS83PH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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