Hersteller Produktnummer:
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC6042,T2HOSH1Q(J-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Inventar:
12891837
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2SC6042,T2HOSH1Q(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
375 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 800mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
SC-71
Gerätepaket für Lieferanten
MSTM
Basis-Produktnummer
2SC6042
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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