Hersteller Produktnummer:
2SC3672-O(T2ASH,FM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC3672-O(T2ASH,FM-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 300V 0.1A MSTM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 80MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventar:
12889707
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SC3672-O(T2ASH,FM Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
SC-71
Gerätepaket für Lieferanten
MSTM
Basis-Produktnummer
2SC3672
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC3672-O(T2ASHFM
2SC3672OT2ASHFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SA1020-Y,T6NSF(J
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
2SA1428-Y,T2F(M
TRANS PNP 50V 2A MSTM
2SA1837,F(J
TRANS PNP 230V 1A TO220NIS