Hersteller Produktnummer:
2SC2859-Y(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC2859-Y(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 300MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12891443
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2SC2859-Y(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SC2859
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SC2859-Y(TE85LF)DKR
2SC2859-YTE85LF
2SC2859-Y(TE85LF)CT
2SC2859-Y (TE85L,F)
2SC2859-Y(TE85LF)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBT489LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2997
TEILNUMMER
MMBT489LT1G-DG
Einheitspreis
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