Hersteller Produktnummer:
2SB906-Y(TE16L1,NQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SB906-Y(TE16L1,NQ-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 9MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD
Inventar:
12890841
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2SB906-Y(TE16L1,NQ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.7V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
9MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD
Basis-Produktnummer
2SB906
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2SB906-Y(Q)
2SB906-Y(TE16L1NQDKR
2SB906-Y(TE16L1NQCT
2SB906Y(TE16L1NQ
2SB906-Y(TE16L1NQ)-DG
2SB906-Y(TE16L1,NQ)
2SB906-Y(TE16L1,NQCT
2SB906-Y(TE16L1NQ-DG
2SB906-Y(Q)-DG
2SB906-Y(TE16L1NQ
2SB906-Y(TE16L1NQTR
2SB906Y(TE16L1NQ-DG
2SB906-Y(TE16L1NQ)
2SB906YTE16L1NQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2SB1202T-TL-E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
188
TEILNUMMER
2SB1202T-TL-E-DG
Einheitspreis
0.35
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