Hersteller Produktnummer:
2SA1955FVBTPL3Z
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1955FVBTPL3Z-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount VESM
Inventar:
2695 Stück Neu Original Auf Lager
12889632
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2SA1955FVBTPL3Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
400 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Leistung - Max
100 mW
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
2SA1955
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
2SA1955FV-B(TPL3,Z
2SA1955FVBTPL3ZDKR
2SA1955FVBTPL3ZCT
2SA1955FVBTPL3ZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SA2030T2L
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2SA2030T2L-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
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