Hersteller Produktnummer:
2SA1930,Q(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1930,Q(J-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890629
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2SA1930,Q(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
180 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SA1930
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1930Q(J
2SA1930QJ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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