Hersteller Produktnummer:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890049
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2SA1869-Y(JKT,Q,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
10 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SA1869
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1869YJKTQM
2SA1869-Y(JKTQM)
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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