2SA1837(LBSAN,F,M)
Hersteller Produktnummer:

2SA1837(LBSAN,F,M)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SA1837(LBSAN,F,M)-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 230V 1A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

Inventar:

12891650
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2SA1837(LBSAN,F,M) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
230 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
70MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SA1837

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1837LBSANFM
2SA1837(LBSANFM)

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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