Hersteller Produktnummer:
2SA1680(T6DNSO,F,M
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1680(T6DNSO,F,M-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventar:
12890377
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SA1680(T6DNSO,F,M Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD
Basis-Produktnummer
2SA1680
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1680(T6DNSOFM
2SA1680T6DNSOFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SC2235-Y(T6FJT,AF
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SD2206(T6CANO,F,M
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
2SA1588-GR,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SC70
