Hersteller Produktnummer:
2SA1382,T6MIBF(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1382,T6MIBF(J-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 110MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventar:
12890962
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2SA1382,T6MIBF(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 33mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
110MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD
Basis-Produktnummer
2SA1382
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1382T6MIBF(J
2SA1382T6MIBFJ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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