Hersteller Produktnummer:
2SA1312GRTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1312GRTE85LF-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12891029
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2SA1312GRTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SA1312
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
Q11724728
2SA1312-GR(TE85L,F
2SA1312GRTE85LFDKR
2SA1312GRTE85LFTR
2SA1312GRTE85LFCT
2SA1312-GR (TE85L,F
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SA1163-GR,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
19181
TEILNUMMER
2SA1163-GR,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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