Hersteller Produktnummer:
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
Beschreibung:
PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 500 mW Surface Mount PW-MINI
Inventar:
788 Stück Neu Original Auf Lager
12988590
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2SA1201-Y(TE12L,ZC Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
500 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MINI
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCCT
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR-DG
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCDKR
264-2SA1201-Y(TE12LZCTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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