Hersteller Produktnummer:
2SA1162-O,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1162-O,LF-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
5390 Stück Neu Original Auf Lager
12891067
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2SA1162-O,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SA1162
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SA1162OLFTR-DG
2SA1162-OLF(BDKR-DG
2SA1162-O(TE85LF)CT
2SA1162-O(TE85L,F)
2SA1162-OLF(BDKR
2SA1162-O,LF(T
2SA1162-OLF(BCT
2SA1162-O(TE85LF)DKR
2SA1162-OLFDKRINACTIVE
2SA1162-OLFDKR
2SA1162-OLFCT
2SA1162-OLF(BTR-DG
2SA1162-OLFTR
2SA1162-O(TE85LF)CT-DG
2SA1162-OLFCTINACTIVE
2SA1162-OLF(BCT-DG
2SA1162-O(TE85LF)DKR-DG
2SA1162-O(TE85LF)TR-DG
2SA1162-OLF(BTR
2SA1162OLFTR
2SA1162-O(TE85LF)TR
2SA1162-O,LF(B
2SA1162-OLFTRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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