Hersteller Produktnummer:
2SA1013-O,T6MIBF(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1013-O,T6MIBF(J-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 160V 1A TO92L
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
Inventar:
12889894
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2SA1013-O,T6MIBF(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92L
Basis-Produktnummer
2SA1013
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
KSA1013YBU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3030
TEILNUMMER
KSA1013YBU-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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