Hersteller Produktnummer:
TPS1101DR
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
TPS1101DR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12816372
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TPS1101DR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
15 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+2V, -15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
791mW (Ta)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
TPS1101
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDS6375
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2121
TEILNUMMER
FDS6375-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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