Hersteller Produktnummer:
TPS1100D
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
TPS1100D-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 15 V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
346 Stück Neu Original Auf Lager
12814121
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TPS1100D Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
15 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+2V, -15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
791mW (Ta)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
TPS1100
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
TEXTISTPS1100D
-TPS1100DG4-NDR
296-3379-5
TPS1100DG4-DG
-296-3379-5
-296-3379-5-DG
2156-TPS1100D
TPS1100DG4
-TPS1100D-NDR
-TPS1100DG4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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