Hersteller Produktnummer:
CSD86336Q3DT
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD86336Q3DT-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Inventar:
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CSD86336Q3DT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Leistung - Max
6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 125°C
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON (3.3x3.3)
Basis-Produktnummer
CSD86336Q3
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-49054-6
296-49054-1
2156-CSD86336Q3DT-296
296-49054-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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