Hersteller Produktnummer:
CSD25202W15T
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD25202W15T-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
Inventar:
1450 Stück Neu Original Auf Lager
13036484
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CSD25202W15T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.05V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1010 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
9-DSBGA
Paket / Koffer
9-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer
CSD25202W15
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-37964-6
2156-CSD25202W15T
TEXTISCSD25202W15T
296-37964-2
296-37964-1
296-37964-6-ND
296-37964-2-ND
296-CSD25202W15TCT
296-CSD25202W15TDKR
296-37964-1-ND
296-CSD25202W15TTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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