Hersteller Produktnummer:
CSD19536KTTT
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD19536KTTT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventar:
947 Stück Neu Original Auf Lager
12788555
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CSD19536KTTT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Koffer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Basis-Produktnummer
CSD19536
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
296-41136-6
296-41136-1
296-41136-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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