Hersteller Produktnummer:
CSD19501KCS
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD19501KCS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12788602
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CSD19501KCS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tube
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
217W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
CSD19501
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-CSD19501KCS
296-37286-5
-296-37286-5-DG
TEXTISCSD19501KCS
CSD19501KCS-DG
-296-37286-5
-CSD19501KCSINACTIVE-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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