CSD18532NQ5BT
Hersteller Produktnummer:

CSD18532NQ5BT

Product Overview

Hersteller:

Texas Instruments

Teilenummer:

CSD18532NQ5BT-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Inventar:

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CSD18532NQ5BT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5340 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD18532

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
250
Andere Namen
296-44042-1
296-44042-2
TEXTISCSD18532NQ5BT
2156-CSD18532NQ5BT
296-44042-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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