Hersteller Produktnummer:
CSD16323Q3
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD16323Q3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventar:
34374 Stück Neu Original Auf Lager
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CSD16323Q3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 12.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD16323
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
296-24522-6
296-24522-2-NDR
-296-24522-1-DG
296-24522-2
296-24522-1
296-24522-1-NDR
296-24522-6-NDR
-296-24522-1-NDR
2156-CSD16323Q3
TEXTISCSD16323Q3
-CSD16323Q3-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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