Hersteller Produktnummer:
CSD16321Q5T
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD16321Q5T-DG
Beschreibung:
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventar:
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CSD16321Q5T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 12.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD16321
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-CSD16321Q5TCT
296-CSD16321Q5TDKR
296-CSD16321Q5TTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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