Hersteller Produktnummer:
TSM60NB900CP
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NB900CP-DG
Beschreibung:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
13374387
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TSM60NB900CP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TSM60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
1801-TSM60NB900CPTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD60R1K0CEAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7232
TEILNUMMER
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
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0.64
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Parametric Equivalent
Teilenummer
FCD900N60Z
HERSTELLER
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1213
TEILNUMMER
FCD900N60Z-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
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