Hersteller Produktnummer:
TSM60NB099PW
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NB099PW-DG
Beschreibung:
600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12999391
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TSM60NB099PW Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2587 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
329W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
12,000
Andere Namen
1801-TSM60NB099PW
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM60NB099PW C1G
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
2055
TEILNUMMER
TSM60NB099PW C1G-DG
Einheitspreis
4.18
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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DIODE