Hersteller Produktnummer:
TSM10NC65CF
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM10NC65CF-DG
Beschreibung:
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 45W (Tc) Through Hole ITO-220S
Inventar:
13375110
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Menge
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TSM10NC65CF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1650 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220S
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TSM10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
1801-TSM10NC65CF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF7NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
846
TEILNUMMER
STF7NM60N-DG
Einheitspreis
1.18
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Teilenummer
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