Hersteller Produktnummer:
STY100NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STY100NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 98A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventar:
12874587
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STY100NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
MAX247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STY100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-13289-5
-497-13289-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFX120N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
24
TEILNUMMER
IXFX120N65X2-DG
Einheitspreis
14.59
ERSATZART
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