STWA75N65DM6
Hersteller Produktnummer:

STWA75N65DM6

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STWA75N65DM6-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Inventar:

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STWA75N65DM6 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5700 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 Long Leads
Paket / Koffer
TO-247-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
497-STWA75N65DM6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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