Hersteller Produktnummer:
STW65N023M9-4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW65N023M9-4-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
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13005836
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STW65N023M9-4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8844 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
463W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
STW65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-STW65N023M9-4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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