Hersteller Produktnummer:
STW60NE10
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW60NE10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12879150
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STW60NE10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW60N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-2643-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTQ75N10P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3
TEILNUMMER
IXTQ75N10P-DG
Einheitspreis
2.44
ERSATZART
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