Hersteller Produktnummer:
STW55NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW55NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12878518
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STW55NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW55N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-497-7622-5
STW55NM60N-DG
497-7622-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPW47N60C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2038
TEILNUMMER
SPW47N60C3FKSA1-DG
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