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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
STW47NM60ND
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW47NM60ND-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
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12880651
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STW47NM60ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW47N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-497-13126-5
STW47NM60ND-DG
497-13126-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPW47N60C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2038
TEILNUMMER
SPW47N60C3FKSA1-DG
Einheitspreis
9.11
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