Hersteller Produktnummer:
STW26NM60
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW26NM60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12877661
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STW26NM60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW26N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-3265-5
497-3265-5-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW60R120P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPW60R120P7XKSA1-DG
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