STW25NM60ND
Hersteller Produktnummer:

STW25NM60ND

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STW25NM60ND-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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STW25NM60ND Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW25N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
497-8455-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SIHG22N60AE-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHG22N60AE-GE3-DG
Einheitspreis
1.64
ERSATZART
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Teilenummer
SIHG22N60E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
498
TEILNUMMER
SIHG22N60E-GE3-DG
Einheitspreis
1.88
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VERFÜGBARE ANZAHL
0
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certification_01
certification_02
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cr
certification_015
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