Hersteller Produktnummer:
STW19NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW19NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12876822
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STW19NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW19
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
445
Andere Namen
-497-13792-5
497-13792-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFP26N60LPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1789
TEILNUMMER
IRFP26N60LPBF-DG
Einheitspreis
5.02
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