Hersteller Produktnummer:
STW10N105K5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW10N105K5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1050 V 6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12878450
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STW10N105K5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh K5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1050 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
545 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-15283-5
-497-15283-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFPF50PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
466
TEILNUMMER
IRFPF50PBF-DG
Einheitspreis
3.01
ERSATZART
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