Hersteller Produktnummer:
STU6N65M2-S
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STU6N65M2-S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12876786
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STU6N65M2-S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
226 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STU6N65
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU6N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
543
TEILNUMMER
STU6N65M2-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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