Hersteller Produktnummer:
STS3P6F6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STS3P6F6-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 3A (Tj) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12878711
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STS3P6F6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
340 pF @ 48 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
STS3P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-13785-6
-497-13785-2
-497-13785-1
-497-13785-6
497-13785-1
497-13785-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NDS9407
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NDS9407-DG
Einheitspreis
0.22
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4900
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HAF1010RJ-EL-E-DG
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0.97
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