Hersteller Produktnummer:
STS30N3LLH6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STS30N3LLH6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12875875
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STS30N3LLH6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4040 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
STS30
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-10008-6
497-10008-1
497-10008-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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