STS1NK60Z
Hersteller Produktnummer:

STS1NK60Z

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STS1NK60Z-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

2112 Stück Neu Original Auf Lager
12872990
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

STS1NK60Z Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
94 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
STS1NK60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
STS1NK60Z-DG
497-12798-1
497-12798-2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
stmicroelectronics

STL12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW7N95K3

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3

vishay-siliconix

2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA TO236

stmicroelectronics

STF10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP